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Das Laserschneidsystem für Siliziumkarbid-Ingots ermöglicht berührungsloses Schneiden zur Herstellung von SiC-Wafern. Die hochpräzise Laserbearbeitung trägt dazu bei, Materialverluste zu reduzieren und die Schnittkonsistenz zu verbessern. Geeignet für Anwendungen in der fortgeschrittenen Waferbearbeitung von Halbleitermaterialien und der SiC-Produktion.